英特尔阐发 ASML 第二台 High NA EUV 光刻机完成安设

他提到，HighNAEUV光刻机不太可能像领先的EUV光刻机那样出现延长。傅恪礼还道到了拼装扫描仪子组件的新口头，即胜利在客户工场安设，无需资格拆卸及再拼装的经由。这将大大省俭ASML与客户之间的技艺和资本，有助于加速HighNAEUV光刻机的发的和托福。

紧随自后上台的是英特尔院士兼光刻总监MarkPhillips，他暗示英特尔依然在波特兰工场完成了两台HighNA光刻系统的安设，何况他还公布了一些贵寓，标明HighNAEUV相对于四肢EUV光刻机所带来的矫正可能要比之前思象中还要多。

▲ 首台 High NA EUV 相片，图源：英特尔

他暗示，由于依然有了造就，第二套HighNAEUV光刻系统的安设速率比第一个还要更快。据称，HighNA所需的所有基础体式依然到位并启动运行。用于HighNA的光刻掩模检测责任依然按盘算推算启动进行。因此，英特尔无需作念太多援救撑抓责任即可将其干与坐蓐。

Mark还被问到了对于CAR（化学放大抗蚀剂）与金属氧化物抗蚀剂的问题，他暗示CAR当今还够用，但可能在过去某个技艺需要金属氧化物光刻胶。英特尔讨论插入点是Intel14A工艺（IT之家注：瞻望2026~2027年量产），这可能比预期的要更快。